Si 2312 Si-2312 Si2312 Si2312bds Transistor Mosfet N 20 V
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Características principales
Marca | Vishay |
|---|---|
Modelo | SI2312BDS-T1-GE3 |
Código del transistor | AE9T |
Otros
Voltaje máximo soportado: 20V
Corriente máxima soportada: 5 A
Descripción
El SI2312BDS-T1-GE3 es un MOSFET canal N utilizado en motherboards y circuitos inverter.
Corriente ID MAXIMA: 5 A
Resistencia de salida: 0.031 ohm
Tension: 20 V
Encapsulado SOT23
Nota: los semiconductores no tienen cambio, devolucion ni garantia. FOTO A TITULO ILUSTRATIVO.
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